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    王来利:宽禁带功率半导体器件封装电热性能调控方法

    时间:2023-10-30 09:00  作者:  来源:  阅读量:

    时间 2023年11月4日 (星期六) 9:30-11:00 教室 学术会议中心三楼报告厅
    教授 王来利 教授

    报告时间:2023年11月4日 (星期六) 9:30-11:00


    报告地点:学术会议中心三楼报告厅


    报  告 人:王来利 教授


    工作单位:西安交通大学


    举办单位:拉斯维加斯0567官方网站


    报告简介:

    宽禁带半导体相对于硅半导体具有显著的特性优势,将为功率变换带来颠覆性变革。然而现有的器件封装电热性能不足,难于充分发挥宽禁带半导体的优势。该报告将介绍宽禁带半导体为应用领域带来的变革潜力、面临的主要技术挑战及研究团队在解决这些挑战过程中所采取的电热性能综合调控技术。

    报告人简介:

    王来利,教授、博导,国家杰出青年科学基金获得者,国家高层次人才引进计划青年项目入选者,中国电源学会杰出青年奖获得者,陕西科技创新团队带头人,承担国家级项目8项,发表学术论文240余篇,以第一完成人获得中国电工技术学会技术发明一等奖、中国电源学会科技进步一等奖、日内瓦国际发明金奖,陕西省自然科学二等奖1项,担任8个国际国内学术组织分支机构主席(主任)、副主席(副主任)职务,3个电力电子领域权威期刊担任副主编。